个人介绍：徐秋旸，出生于浙江嘉兴，本科就读于南京邮电大学（2021-2025），本科毕业设计题目为毫米波雷达成像技术的研究，现硕士就读于南京大学ISCL实验室。研究方向：存内计算、存算一体等。曾获全国大学生电子设计竞赛一等奖。
研究课题：硅基CMOS晶体管接近物理极限（短沟道效应、漏电流增加），传统架构因内存与计算单元分离导致“冯·诺依曼瓶颈”。存算一体技术直接利用存储器进行数据处理或计算，从而把数据存储与计算融合在同一个芯片的同一片区之中，可以彻底消除冯诺依曼计算架构瓶颈，特别适用于深度学习神经网络这种大数据量大规模并行的应用场景。
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