2020级 肖扬


肖扬出生于河南信阳,本科毕业于电子科技大学光电科学与技术学院(2016),本科毕业设计题目为CTT在非易失性存储器中的应用。现硕士在读于南京大学。研究方向包括:CMOS图像传感器。曾获电子科技大学优秀奖学金等。


研究课题:可编程电荷陷阱晶体管(CTT)在非易失性存储器(NVM)中的应用。具体内容介绍:与浮动栅晶体管、有机栅介电晶体管、碳纳米管晶体管等其他电荷俘获器件相比,CTTs在工艺、工作电压、制造成熟度等方面完全兼容cmos。CTT器件是一种NMOS晶体管,其阈值电压可以通过在其栅介质中捕获电荷来编程。虽然charge-trapping过程在现代MOSFET最初曾面临可靠性问题,但是最近发现在一个适当的漏极偏置下,charge-trapping时很多载流子都可以被困在栅极介电层稳定,并且超过90%的陷阱电荷都可以在高达85℃的环境中保持十年。利用这一性质可以将CTT用于非易失性存储器。


E-mail:  3081582975@qq.com