个人介绍：谢静霞，出生于浙江绍兴，本科就读于西安电子科技大学（2020-2024），本科毕业设计题目为一种用于补偿延时器损耗的宽带CMOS低噪声放大器设计，现硕士就读于南京大学ISCL实验室。研究方向：射频电路等。
研究课题：超导低温电路。提出了一种电流饥饿型环形振荡器（CSRO），用于低温CMOS表征。该结构集成了一个自偏置电路（SBS），能够通过直流测试同时提取电阻值和MOSFET阈值电压（Vth）。利用CSRO的振荡频率，可以在不需要复杂S参数解嵌的情况下推断MOSFET的寄生电容。在4K、40K和77K下的测试结果验证了它在提取关键参数方面的有效性，并展示了扩展到其他过程的潜力。
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